您好!欢迎访问东莞海坤新材料官方网站!
工业陶瓷成型烧结加工厂家
主营氧化锆、氮化硅、氧化铝陶瓷精密结构零件
联系方式
138-2438-5183
138-2438-5803
您当前的位置: 首页 > 新闻资讯 > 陶瓷知识 > 正文

陶瓷知识

氮化铝为什么不是金属材料,氮化铝陶瓷生产工艺有哪些

更新时间  2023-09-29 阅读 124

如今在氮化铝陶瓷基板是一种改进热管理的技术,而热管理目前限制了基于GaN的射频功率电子设备的性能。电信供应商、汽车行业和功率转换系统制造商都对基于GaN的电子设备越来越感兴趣。尽管太空和军事最终用户正在推动当今的大部分发展,但GaN被广泛视为3G/4G无线基站中高功率放大器的一种有前途的技术。

氮化铝陶瓷基板具有优异的电学和热学性能,被认为是最有前途的高导热陶瓷基板材料。为了密封封装结构、贴装元器件和连接输入输出端子,需要对氮化铝陶瓷基板的表面和内部进行金属化处理。

陶瓷表面金属化的可靠性和性能对陶瓷基板的应用具有重要影响,牢固的结合强度和优良的气密性是最基本的要求。考虑到基板的散热性,还要求金属与陶瓷的界面具有较高的导热性。氮化铝陶瓷表面的金属化方法有薄膜法、厚膜法、高熔点金属化法、化学镀法、直接镀铜法(DBC)等。

氮化铝为什么不是金属材料,氮化铝陶瓷生产工艺有哪些

氮化铝为什么不是金属材料,氮化铝陶瓷生产工艺有哪些

让我介绍最常见的方法–直接镀铜(DBC)

直接覆铜是在氮化铝陶瓷表面键合铜箔的一种金属化方法,它是随着板上芯片封装技术的兴起而发展起来的一种新工艺。其基本原理是在Cu与陶瓷之间引入氧元素,在1065~1083℃形成Cu/O共晶液相,再与陶瓷基体和铜箔反应生成Cu(AIO2)2.在中间体中相铜箔与基体的结合是在相的作用下实现的。由于氮化铝属于非氧化物陶瓷,其表面镀铜的关键是在其表面形成AI2O3过渡层,实现有效过渡层作用下铜箔与基体陶瓷之间的结合。

直接覆铜法导热性好,附着强度高,机械性能好,易于大规模生产,但氧化工艺条件不易控制。

氮化铝陶瓷基板金属化是半导体电子、射频器件、功率放大器材料中最理想的散热和封装材料,由于具有高热传导率、高绝缘电阻系数、优良的机械强度及抗热震性等特性,也是成为重要的精密陶瓷材料之一。高性能氮化铝陶瓷基板对大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。